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NCP5359AMNR2G价格
参考价格：￥1.8835
型号：NCP5359AMNR2G 品牌：ONSemi 备注：这里有NCP5359AMNR2G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NCP5359AMNR2G批发/采购报价，NCP5359AMNR2G行情走势销售排行榜，NCP5359AMNR2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCP5359AMNR2G | GateDriverforNotebookPowerSystems 文件：151.09 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
NCP5359AMNR2G | 封装/外壳：8-VFDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
NCP5359AMNR2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP5359AMNR2G
- 功能描述
功率驱动器IC DUAL MOSFET GATE DRIVER
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2023+ |
QFN8 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
QFN |
60000 |
全新原装现货 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
DFN8 |
163789 |
原装正品现货,可开13个点税 |
|||
ON |
2020+ |
QFN |
360000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ONN |
24+ |
2870 |
绝对进口原装,现货热销 |
||||
ON/安森美 |
21+ |
QFN |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON Semiconductor |
2021+ |
SOIC |
57500 |
科研单位合格供应商!现货库存 |
|||
ON |
22+ |
QFN |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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2022-5-13NCP5425DBR2G
4.5Vto60V开关控制器,1Output50%500kHz开关控制器,100Vto400V开关控制器,Quasi-Resonant开关控制器,65kHz开关控制器,ThroughHole开关控制器
2020-7-13NCP5359DR2G公司全新现货供应
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-7-24NCP5355-12 V同步降压功率MOSFET驱动器
该NCP5355是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化盖茨都高，低侧输出功率是在同步MOSFET降压转换器。NCP5355是一个很好的伴侣多相控制器没有集成的栅极驱动器，如安森美半导体的NCP5314和NCP5316。这种架构由于能够提供电源设计者更大的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。具有12V源驱动的MOSFET，而不是一个5.0V可显着减少传导损耗。内部优化，自适应非重叠电路，防止进一步降低开关损耗同时导通两个MOSFET。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五，电压高达26门输出都可以驱动低高应用水平低的逻辑使能（EN）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动器输出为低时，
2013-2-26NCP5351-4个同步降压功率MOSFET驱动器
该NCP5351是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化两高侧和低侧功率MOSFET的闸一同步降压转换器。NCP5351是一个极好的同伴多相控制器没有集成门极如安森美半导体的CS5323，CS5305和CS5307的驱动程序。该结构提供了电源设计的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。4.0A驱动器的能力，使NCP5351理想，尽量减少开关MOSFET的输入电容大的损失。优化内部，自适应非重叠电路，进一步降低开关损失的预防两个MOSFET同时导通。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五，双方高达25门输出可驱动高电压低，电源电流降至低于25？一，通过应用低的逻辑水平，以使能（EN）引
2013-2-26NCP5331-两相PWM控制器，集成门极驱动器
NCP5331是第二代，两相降压控制器权力的64位AMD采用了先进的控制功能Athlon处理器和低电压，高电流电源。专有的多相架构，保证均衡的负载电流共享，降低了输出电压和输入电流纹波，减小滤波器的要求，电感值，并增加输出电流压摆率。结合传统的增强型V2已经与内部PWM斜坡电压反馈直接从VCORE内部的PWM比较器。这些功能和增强功能提供最快的瞬态响应，降低输出电压抖动，提供更大的设计灵活性和可移植性，并最大限度地降低整体解决方案的成本。高级功能包括可调电源良好延迟，可编程的过流关断定时器，优越的过压保护（OVP）和差分遥感。一个创新的过压保护（OVP）的计划，保障期间的CPU极端的情况下，包
2012-11-26
DdatasheetPDF页码索引
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