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NCP5218MNR2G	2?뭝n??NotebookDDRPowerController 文件：453.17 Kbytes Page：31 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP5218MNR2G	封装/外壳：22-VFDFN 裸露焊盘包装：卷带（TR）描述：IC REG CTRLR DDR 2OUT 22DFN 集成电路（IC）特殊用途稳压器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

NCP5218MNR2G产品属性

类型
描述
型号
NCP5218MNR2G
功能描述
电压模式 PWM 控制器 2IN1 NOTEBK DDR CNTL
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
输出端数量
1
拓扑结构
Buck
输出电压
34 V
工作电源电压
4.5 V to 5.5 V
电源电流
600 uA
最大工作温度
+ 125 C
最小工作温度
- 40 C
封装/箱体
WSON-8
封装
Reel

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更新时间：2024-5-15 17:51:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯福林电子科技有限公司	NCP5218MNR2G	ON Semiconductor	21+	22DFN (6x5)	13880	公司只售原装,支持实单	询价
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瀚佳科技(深圳)有限公司	NCP5218MNR2G	ON Semiconductor	21+	22-DFN(6x5)	56300	一级代理/放心采购	询价
深圳兆威电子有限公司	NCP5220	ON/安森美	23+	QFN	90000	全新原包现货	询价
深圳市近平电子有限公司	NCP5220	ON	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	NCP5218MNR2G	ON	22+23+	DFN22	54509	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NCP5220	ON	22+	QFN20	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NCP5218MNR2G	ON/安森美	23+	NA/	3300	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	NCP5218MNR2G	ON/安森美		DFN22	265209	假一罚十原包原标签常备现货!	询价
深圳市诺美思科技有限公司	NCP5218MNR2G	onsemi	22+/23+	22-DFN(6x5)	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价

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NCP51560BBDWR2G
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2023-2-27
NCP5355-12 V同步降压功率MOSFET驱动器
该NCP5355是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化盖茨都高，低侧输出功率是在同步MOSFET降压转换器。NCP5355是一个很好的伴侣多相控制器没有集成的栅极驱动器，如安森美半导体的NCP5314和NCP5316。这种架构由于能够提供电源设计者更大的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。具有12V源驱动的MOSFET，而不是一个5.0V可显着减少传导损耗。内部优化，自适应非重叠电路，防止进一步降低开关损耗同时导通两个MOSFET。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五，电压高达26门输出都可以驱动低高应用水平低的逻辑使能（EN）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动器输出为低时，
2013-2-26
NCP5351-4个同步降压功率MOSFET驱动器
该NCP5351是一个双MOSFET栅极驱动器驱动优化两高侧和低侧功率MOSFET的闸一同步降压转换器。NCP5351是一个极好的同伴多相控制器没有集成门极如安森美半导体的CS5323，CS5305和CS5307的驱动程序。该结构提供了电源设计的灵活性找到附近的栅极驱动器的MOSFET。4.0A驱动器的能力，使NCP5351理想，尽量减少开关MOSFET的输入电容大的损失。优化内部，自适应非重叠电路，进一步降低开关损失的预防两个MOSFET同时导通。浮顶的驱动器设计可容纳MOSFET的漏极五，双方高达25门输出可驱动高电压低，电源电流降至低于25？一，通过应用低的逻辑水平，以使能（EN）引
2013-2-26
NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明在NCP52032合1DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。特点
2013-2-17
NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5×6的QFN-18。特点•搭载VDDQ的，的VTT稳压器•内
2013-2-17
NCP5331-两相PWM控制器，集成门极驱动器
NCP5331是第二代，两相降压控制器权力的64位AMD采用了先进的控制功能Athlon处理器和低电压，高电流电源。专有的多相架构，保证均衡的负载电流共享，降低了输出电压和输入电流纹波，减小滤波器的要求，电感值，并增加输出电流压摆率。结合传统的增强型V2已经与内部PWM斜坡电压反馈直接从VCORE内部的PWM比较器。这些功能和增强功能提供最快的瞬态响应，降低输出电压抖动，提供更大的设计灵活性和可移植性，并最大限度地降低整体解决方案的成本。高级功能包括可调电源良好延迟，可编程的过流关断定时器，优越的过压保护（OVP）和差分遥感。一个创新的过压保护（OVP）的计划，保障期间的CPU极端的情况下，包
2012-11-26

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