| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCP51402 | Termination Regulator 文件：343.05 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NCP51402 | 3A VTT 端接稳压器，用于 DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Termination Regulator 文件：336.36 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Termination Regulator 文件：343.05 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Termination Regulator 文件：336.36 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：10-VFDFN 裸露焊盘 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC REG LDO DDR 1OUT 10DFN 集成电路（IC） 特殊用途稳压器 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Single N-channel MOSFET 文件：1.87457 Mbytes Page：5 Pages | ELM | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
22+ |
10DFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
||||
ON(安森美) |
25+ |
DFN-10 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
ON |
22+ |
10-VFDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
5000 |
原装正品实单必成 |
|||
onsemi |
25+ |
10-VFDFN 裸露焊盘 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
DFN-10 |
13365 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
|||
ON |
24+ |
DFN-10 |
25000 |
ON全系列可订货 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
DFN-10(3x3) |
3022 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
NCP51402规格书下载地址
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NCP5106BDR2G
进口代理
2023-10-31NCP51560BBDWR2G
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2023-2-27NCP45780IMN24RTWG 全新原装
NCP45780IMN24RTWG
2022-8-9NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17
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