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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCP51402_16 | Termination Regulator 文件：336.36 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-7 14:40:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
DFN-10 |
25000 |
ON全系列可订货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
5000 |
原装正品实单必成 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
10DFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ONSEMI/安森美 |
两年内 |
N/A |
7000 |
原装现货,实单价格可谈 |
|||
onsemi |
2025+ |
55740 |
|||||
ON(安森美) |
2324+ |
DFN-10 |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
DFN10(3x3) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ON Semi |
22+ |
NA |
30000 |
原装正品支持实单 |
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2022-8-9NCP4641H080T1G稳压芯片
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2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17
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