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NCP4306AADZZZADR2G	SecondarySideSynchronousRectificationDriver 文件：1.04817 Mbytes Page：49 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NCP4306AADZZZADR2G	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：管件描述：SECONDARY SIDE SYNCHRONOU 集成电路（IC）电源控制器，监视器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
4306	50廓RFDigitalAttenuator5-bit,31dB,DC-4.0GHz 文件：451.37 Kbytes Page：11 Pages	Peregrine Peregrine Semiconductor
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4306H-LF	Networks 文件：67.03 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
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4306M-LF	Networks 文件：66.93 Kbytes Page：1 Pages	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）

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更新时间：2024-6-24 23:00:00

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NCP361SNT1G
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2020-9-22
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该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的，无损坏或逻辑不安，高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可轻松切换的NCP4413/44141800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容，并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响，即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。
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NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26

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