NCP380HMU10AGEVB价格

参考价格:¥285.3760

型号:NCP380HMU10AGEVB 品牌:ONSemi 备注:这里有NCP380HMU10AGEVB多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP380HMU10AGEVB批发/采购报价,NCP380HMU10AGEVB行情走势销售排行榜,NCP380HMU10AGEVB报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NCP380HMU10AGEVB

Fixed/Adjustable Current??Limiting Power?륞istribution Switches

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ONSEMI

安森美半导体

NCP380HMU10AGEVB

功能:配电开关(负载开关) 包装:散装 描述:BOARD EVAL NCP380HMU10 LOAD SW 开发板,套件,编程器 评估和演示板及套件

ONSEMI

安森美半导体

Fixed / Adjustable Current-Limiting Power-Distribution Switches

文件:599.55 Kbytes Page:24 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Fixed/Adjustable Current?륧imiting Power?륞istribution Switches

文件:536.21 Kbytes Page:23 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Fixed/Adjustable Current?륧imiting Power?륞istribution Switches

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ONSEMI

安森美半导体

NCP380HMU10AGEVB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCP380HMU10AGEVB

  • 功能描述

    电源管理IC开发工具 NCP380 EVAL BOARD

  • RoHS

  • 制造商

    Maxim Integrated

  • 产品

    Evaluation Kits

  • 类型

    Battery Management

  • 工具用于评估

    MAX17710GB

  • 输出电压

    1.8 V

更新时间:2025-8-17 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
12+
DFN
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ON/安森美
21+
6UFDN
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
13+
Reel
3000
原装现货海量库存欢迎咨询
onsemi
2025+
55740
ON/安森美
24+
UDFN-6
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ON
23+
DFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
三年内
1983
只做原装正品
ON(安森美)
2447
UDFN-6
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
ON Sem
25+
25000
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ON/安森美
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QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货

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    MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器

    2020-9-22
  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

    2013-2-26
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26