型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Positive and Negative Overvoltage Protection with Internal Low RON N-MOSFETs and Reverse Charge Control Pin

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ONSEMI

安森美半导体

Positive and Negative Overvoltage Protection

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ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:12-UFLGA 裸露焊盘 包装:管件 描述:IC PWR OVP POS/NEG N-CH 12LLGA 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

ONSEMI

安森美半导体

FAST RECOVERY DIODE

FAST RECOVERY DIODE Repetitive voltage up to 4500 V Mean forward current 485 A Surge current 4 kA

POSEICO

NPN medium frequency transistor

DESCRIPTION NPN medium frequency transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 15 V). APPLICATIONS • IF pre-amplifiers of television receivers.

PHILIPS

飞利浦

8-BIT MICROCONTROLLER

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TI

德州仪器

RADIO FREQUENCY I DENTIFICATION SYSTEMS

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TI

德州仪器

8-BIT MICROCONTROLLER

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TI

德州仪器

NCP370MUA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCP370MUA

  • 功能描述

    电压模式 PWM 控制器 POS-NEG OVP W/OCP

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 输出端数量

    1

  • 拓扑结构

    Buck

  • 输出电压

    34 V

  • 工作电源电压

    4.5 V to 5.5 V

  • 电源电流

    600 uA

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 封装/箱体

    WSON-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-3-17 8:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
LLGA12
9700
绝对原装正品现货假一罚十
ON/安森美
15+
QFN
58399
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON/安森美
23+
LLGA-12
89630
当天发货全新原装现货
ON/安森美
2022+
5985
原厂原装,假一罚十
ON
23+
LLGA-12
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
ON
2023+
QFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
ON
23+
QFN
2946
正规渠道,只有原装!
onsemi(安森美)
25+
LLGA-12
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
onsemi(安森美)
25+
LLGA-12
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

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  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

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  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26