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NCP367OPMUECTBG

Battery Charge Front-End Protection

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ONSEMI

安森美半导体

NCP367OPMUECTBG

封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC OVP-OCP BATTERY CHARGE 集成电路(IC) 电源控制器,监视器

ONSEMI

安森美半导体

An extensive range of premium quality, problem solving adapters including 1/4, XLR, RCA, DMX, BNC, 75/110 Ohm, impedance matching transformers, and much more.

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SWITCH

Switch Publishing Co.,Ltd.

AC voltage and current measurements

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

Micropower, 3-Axis, 짹2 g/짹4 g/짹8 g Digital Output MEMS Accelerometer

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亚德诺

Micropower, 3-Axis, 짹2 g/짹4 g/짹8 g Digital Output MEMS Accelerometer

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更新时间:2025-8-18 23:01:00
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NCP367OPMUECTBG芯片相关品牌

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    onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制

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    华富芯深圳智能科技 有限公司

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  • NCP361SNT1G

    MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器

    2020-9-22
  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

    2013-2-26
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26