NCP367DPMUECTBG价格

参考价格:¥2.0956

型号:NCP367DPMUECTBG 品牌:ON 备注:这里有NCP367DPMUECTBG多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NCP367DPMUECTBG批发/采购报价,NCP367DPMUECTBG行情走势销售排行榜,NCP367DPMUECTBG报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NCP367DPMUECTBG

Battery Charge Front-End Protection, USB and AC/DC Supply Compliant

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ONSEMI

安森美半导体

NCP367DPMUECTBG

Battery Charge Front-End Protection

文件:409.4 Kbytes Page:13 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NCP367DPMUECTBG

封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC VOLT PROTECTRION OCP OVP 8DFN 集成电路(IC) 电源控制器,监视器

ONSEMI

安森美半导体

An extensive range of premium quality, problem solving adapters including 1/4, XLR, RCA, DMX, BNC, 75/110 Ohm, impedance matching transformers, and much more.

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SWITCH

Switch Publishing Co.,Ltd.

AC voltage and current measurements

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

Micropower, 3-Axis, 짹2 g/짹4 g/짹8 g Digital Output MEMS Accelerometer

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亚德诺

Micropower, 3-Axis, 짹2 g/짹4 g/짹8 g Digital Output MEMS Accelerometer

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Micropower, 3-Axis, 짹2 g/짹4 g/짹8 g Digital Output MEMS Accelerometer

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NCP367DPMUECTBG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NCP367DPMUECTBG

  • 功能描述

    电池管理 OCP OVP USB AND AC/DC

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 电池类型

    Li-Ion

  • 输出电压

    5 V

  • 输出电流

    4.5 A

  • 工作电源电压

    3.9 V to 17 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 封装/箱体

    VQFN-24

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
DFN-8-EP(2x2
3022
深耕行业12年,可提供技术支持。
ON
2016+
DFN8
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ON
23+
N/A
20000
全新原装假一赔十
ON
23+
DFN-8
12700
买原装认准中赛美
ON/安森美
25+
DFN-8
880000
明嘉莱只做原装正品现货
三年内
1983
只做原装正品
ON/安森美
25+
DFN
32360
ON/安森美全新特价NCP367DPMUECTBG即刻询购立享优惠#长期有货
ON
24+/25+
110
原装正品现货库存价优
ON
1715+
DFN-8
210
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON Sem
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

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    2020-9-22
  • NCP4413DR2-单个MOSFET驱动器|的CMOS|硫酸钾|8引脚|塑料

    该NCP4413/4414是3一个CMOS缓冲器/驱动器。他们不会闩锁在其下功率和电压的任何条件。它们不受损坏时至​​5伏的噪音扣球无论是地面上的极性引脚发生。他们能接受的,无损坏或逻辑不安,高达500毫安的电流任极性被迫返回他们的输出。所有终端完全保护对多达4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器,可轻松切换的NCP4413/4414 1800年20例匹配的上升和下降时间纳秒pF的栅极电容,并提供足够低的阻抗都ON和OFF的各国确保MOSFET的预期状态不会受到影响,即使是大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配允许驾驶更大的输出精度的短期投入。

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  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

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