AM3420N集成电路资料原装现货专卖万国半导体-IC资料网

114ic电子网登录注册

芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
AM3420N	N-Channel 250-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed	AnalogPower	AnalogPower
AO3420	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product	AOSMD 万国半导体	AOSMD
3420	3/8 Square Drive Sockets, SAE 文件：158.63 Kbytes Page：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ADR3420	Micropower, High Accuracy Voltage References 文件：900.95 Kbytes Page：24 Pages	AD 亚德诺	AD
ADR3420	Ultralow Noise, High Accuracy 文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages	AD 亚德诺	AD

NCP3420DG供应商更多...

更新时间：2025-10-31 20:07:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	AM3423P	ANALOGPO	20+	SOT23-6	43000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	AM3423P	ANALOGPOWER	25+	SOT-23-6	64250	原装正品,欢迎来电咨询!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	AM3422E3R	AIT-IC	24+	SOT-23	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	AM3423P	AP	2025+	SOT223	3550	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	AM3423P-T1-PF	ANALOGPOW	23+	SOT23-6	12500	全新原装现货热卖,价格优势	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	AM3423P-T1-PF	ANALOG	22+	TSOP6S	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	AM3423E3SVR	AiT	21+	-	3000	全新原装鄙视假货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	AM3423P-T1-PF	ANPWR	23+	NA	3340	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市一线半导体有限公司	AM3423P	AP	24+	SOT223	1493		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	AM3423P	AP	2450+	SOT223	6540	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价

NCP4318ALLDR2G
onsemi 的双通道同步整流 (SR) 控制器系列具有自适应死区时间控制
2023-11-18
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26