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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NCP3418DR2 | Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable 文件：90.57 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
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NCP3418DR2 | Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable 文件：255.63 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NCP3418DR2 | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Dual Bootstrapped 12 V MOSFET Driver with Output Disable 文件：255.63 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NCP3418DR2产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP3418DR2
- 功能描述
IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
95
- 系列
-
- 配置
半桥
- 输入类型
PWM
- 延迟时间
25ns 电流 -
- 峰
1.6A
- 配置数
1
- 输出数
2 高端电压 -
- 最大（自引导启动）
118V
- 电源电压
9 V ~ 14 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装
8-SOIC
- 包装
管件
- 产品目录页面
1282(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOP8 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOP-8 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
ON |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
ON |
25+23+ |
SOP8 |
72608 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
ON |
22+ |
SOIC-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON |
23+ |
SOP8 |
59950 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON |
24+ |
SOP |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
8SOIC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
NCP3418DR2规格书下载地址
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2023-11-18NCP3170ADR2G
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MSOP-12 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors High Side 电流和电力监控器、调节器 , Current Monitors 电流和电力监控器、调节器 , INA202 电流和电力监控器、调节器 , MAX17525 电流和电力监控器、调节器 , Power Monitors SMD/SMT 电流和电力监控器、调节器
2020-9-22NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26
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