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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
NCP3418BDR2G	DualBootstrapped12VMOSFETDriverwithOutputDisable 文件：255.63 Kbytes Page：9 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3418BDR2G	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-5-1 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昌和盛利电子有限公司	NCP3418BDR2G	ON	23+	SOP8	12335		询价
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深圳市吉银科技有限公司	NCP3418BDR2G	ON(安森美)			6000		询价

NCP3135MNTXG
降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP43080ADR2G
NCP43080ADR2G
2021-8-19
NCP361SNT1G
MSOP-12电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitorsHighSide电流和电力监控器、调节器,CurrentMonitors电流和电力监控器、调节器,INA202电流和电力监控器、调节器,MAX17525电流和电力监控器、调节器,PowerMonitorsSMD/SMT电流和电力监控器、调节器
2020-9-22
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26