NCP3163MNR2G参数引脚图批发采购价格ONSEMI-IC资料网

114ic电子网登录注册

芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NCP3163MNR2G	3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50−300 kHz Switching Regulator 文件：264.77 Kbytes Page：20 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3163MNR2G	3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50−300 kHz Switching Regulator 文件：210.24 Kbytes Page：20 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3163MNR2G	3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50-300 kHz Switching Regulator 文件：254.17 Kbytes Page：20 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3163MNR2G	封装/外壳：18-VFDFN 裸露焊盘功能：升压，降压包装：卷带（TR）描述：IC REG BUCK BST ADJ 3.4A 18DFN 集成电路（IC）稳压器 - DC-DC 开关稳压器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP3163MNR2G	封装/外壳：18-VFDFN 裸露焊盘功能：升压，降压包装：管件描述：IC REG BUCK BST ADJ 3.4A 18DFN 集成电路（IC） DC DC 开关稳压器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCV3163MNR2G	3.4 A, Step-Up/Down/ Inverting 50-300 kHz Switching Regulator 文件：254.17 Kbytes Page：20 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

NCP3163MNR2G供应商更多...

更新时间：2025-8-6 10:04:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NCP3163PWG	Onsemi	24+		1094		询价
深圳市纳立科技有限公司	NCP3163MNR2G		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市华来深电子有限公司	NCP3163MNR2G	ON	23+	DFN-18	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市毅创弘电子科技有限公司	NCP3163MNR2G	ONSemiconductor	24+	18-DFN(5x6)	66800	原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！	询价
深圳市正纳电子有限公司	NCP3163PWG	ON(安森美)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	NCP3163PWG	ON/安森美	21+	NA	12820	只做原装,质量保证	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NCP3163MNR2G	ON Semiconductor	22+	18DFN (5x6)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NCP3163MNR2G	ON/安森美	22+	DFN-18	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NCP3163PWG	ON/安森美	23+	SOIC-16W	23478	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NCP3163MNR2G	ON/安森美	2450+	DFN-18	8540	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价

NCP308MT180TBG原包原标低价出
NCP308MT180TBG原包原标低价出
2024-11-9
NCP3135MNTXG
降压开关稳压器 IC 正可调式 0.6V 1 输出 5A 16-VFQFN 裸露焊盘
2022-10-19
NCP3170ADR2G
www.58chip.com
2022-5-11
NCP3418BDR2G 原装正品. 仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-25
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25 ns的传播延迟了3000 pF的负载和20 ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26