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NCP303160	IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitorNCP303160 Features •CapableofAverageCurrentsupto60A •Capableof80A(10ms)PeakCurrent •80APackaged−levelUISTestedtoImproveRobustness •High−Performance,UniversalFootprint,Copper−Clip5mmx6mm PQFNPackageinWettableFlank •CapableofSwitchingatFrequenciesupto1MHz •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303160A	IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitor Description TheNCP303160AintegratesaMOSFETdriver,high−side MOSFETandlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303160A integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandbo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303160AMNTWG	IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitor Description TheNCP303160AintegratesaMOSFETdriver,high−side MOSFETandlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303160A integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandbo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303160MNTWG	IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitorNCP303160 Features •CapableofAverageCurrentsupto60A •Capableof80A(10ms)PeakCurrent •80APackaged−levelUISTestedtoImproveRobustness •High−Performance,UniversalFootprint,Copper−Clip5mmx6mm PQFNPackageinWettableFlank •CapableofSwitchingatFrequenciesupto1MHz •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NCP303160MNTWG	封装/外壳：39-PowerVFQFN 包装：管件描述：INTEGRATED DRIVER \u0026 MOSFFET 集成电路（IC）栅极驱动器	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

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更新时间：2024-6-15 20:00:00

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降压开关稳压器IC正可调式0.6V1输出5A16-VFQFN裸露焊盘
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www.58chip.com
2022-5-11
NCP302LSN38T1G 0N
www.hfxcom.com
2021-12-18
NCP302035MNTWG
DFN-8栅极驱动器，PDIP-20栅极驱动器，SOT-6高端栅极驱动器，双12A栅极驱动器，35V栅极驱动器，SOIC-28栅极驱动器
2020-7-28
NCP302LSN43T1G原装现货
NCP302LSN43T1G原装现货
2019-7-29
NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用
NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围，高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部，自适应非重叠电路，进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压，高达30伏，以高达35五，两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用（外径）引脚。欠压锁定功能，确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低，一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34
2013-2-26

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