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NCP303160MNTWG

IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitorNCP303160

Features •CapableofAverageCurrentsupto60A •Capableof80A(10ms)PeakCurrent •80APackaged−levelUISTestedtoImproveRobustness •High−Performance,UniversalFootprint,Copper−Clip5mmx6mm PQFNPackageinWettableFlank •CapableofSwitchingatFrequenciesupto1MHz •

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
NCP303160MNTWG

封装/外壳:39-PowerVFQFN 包装:管件 描述:INTEGRATED DRIVER \u0026 MOSFFET 集成电路(IC) 栅极驱动器

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IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitorNCP303160

Features •CapableofAverageCurrentsupto60A •Capableof80A(10ms)PeakCurrent •80APackaged−levelUISTestedtoImproveRobustness •High−Performance,UniversalFootprint,Copper−Clip5mmx6mm PQFNPackageinWettableFlank •CapableofSwitchingatFrequenciesupto1MHz •

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IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitor

Description TheNCP303160AintegratesaMOSFETdriver,high−side MOSFETandlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303160A integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandbo

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IntegratedDriverandMOSFETwithIntegratedCurrentMonitor

Description TheNCP303160AintegratesaMOSFETdriver,high−side MOSFETandlow−sideMOSFETintoasinglepackage. ThedriverandMOSFETshavebeenoptimizedforhigh−current DC−DCbuckpowerconversionapplications.TheNCP303160A integratedsolutiongreatlyreducespackageparasiticsandbo

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ONSEMI
更新时间:2024-6-18 18:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
21+
N/A
4824
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON/安森美
2022
SOP8L
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
ON/安森美
23+
SOP8L
30000
全新原装,假一赔十,价格优势
6000
面议
19
DIP/SMD
ON/安森美
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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NA
9000
代理渠道.实单必成
ON
20+
N/A
8800
只做原装正品
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
onsemi(安森美)
23+
PQFN-39(5x6)
3022
深耕行业12年,可提供技术支持。

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  • NCP302LSN38T1G 0N

    www.hfxcom.com

    2021-12-18
  • NCP302035MNTWG

    DFN-8栅极驱动器,PDIP-20栅极驱动器,SOT-6高端栅极驱动器,双12A栅极驱动器,35V栅极驱动器,SOIC-28栅极驱动器

    2020-7-28
  • NCP302LSN43T1G原装现货

    NCP302LSN43T1G原装现货

    2019-7-29
  • NCP3418-12伏双自举MOSFET的输出驱动器禁用

    NCP3418和NCP3418A的是双MOSFET栅极驱动器同时优化驱动高侧和低侧功率之门在MOSFET的同步降压转换器。驱动程序的每一个能够驾驶一辆带有25ns的传播延迟了3000pF的负载和20ns的过渡时间。具有较宽的工作电压范围,高或低边MOSFET栅极驱动电压可优化的最佳效率。内部,自适应非重叠电路,进一步降低了开关损耗防止两个MOSFET同时导通。浮顶的设计可以容纳VBST驱动电压,高达30伏,以高达35五,两个栅极瞬间高电压的输出可以采用低驱动低逻辑电平输出禁用(外径)引脚。欠压锁定功能,确保这两个驱动程序低输出当电源电压为低,一热关控制功能提供了过热保护IC。该NCP34

    2013-2-26