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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

800V 1.2ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

更新时间:2025-10-30 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MACOM
/ROHS.original
NA
10501
射频元件二极管-正纳电子/ 原材料及元器件

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