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TPD80R1K2C

800V Super-Junction Power MOSFET

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WUMC

紫光国微

TPD80R1K2C

SJ MOS

WUMC

紫光国微

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

800V 1.2ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

更新时间:2025-11-18 8:01:00
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