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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TPD80R1K2C | 800V Super-Junction Power MOSFET 文件:1.10198 Mbytes Page:12 Pages | WUMC 紫光国微 | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D | ISC 无锡固电 | |||
800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET 文件:1.33039 Mbytes Page:10 Pages | MGCHIP | |||
800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET 文件:1.33039 Mbytes Page:10 Pages | MGCHIP | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:261.87 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
800V 1.2ohm N-channel MOSFET 文件:1.41589 Mbytes Page:10 Pages | MGCHIP |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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紫光微 |
20+ |
TO-252 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TI |
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原厂原封 |
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TI |
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WSON8 |
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TI(德州仪器) |
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恩XP |
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QFN-24 |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
WSON-8 |
9600 |
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TI |
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8WSON |
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2020-7-13
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