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NCE60P65K

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60P65K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-65A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE60P65K

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

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更新时间:2025-11-18 15:26:00
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