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LCE60P65K

LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.14559 Mbytes Page:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE60P65K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-65A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2026-1-2 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LCE7.5
25+
1936
1936
VishayLittelfuse
24+
DO-201
55000
LITTLEFUSE
24+
原厂原封
4000
原装正品
LITTELFUSE
25+
DO-201
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