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NCE30P60G

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE30P60G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-30V,ID =-60A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE30P60G

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

P-Ch MOSFET

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WIINSOK

微硕半导体

更新时间:2026-1-1 17:01:00
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