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NCE01P35K

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01P35K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-100V,ID =-35A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

NCE01P35K

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新洁能

更新时间:2025-9-28 19:10:00
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