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NCE01NP03S

NCE N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE01NP03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use in inverter and other applications. Genera Features N-channel P-channel ● VDS = 100V,ID = 3A ● VDS = -100V,ID =- 3A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

更新时间:2025-8-13 16:29:00
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  • NCE01P13K

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 13A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 200mΩ 10V,16A 功率(Pd) 40W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V 250μA

    2021-10-16
  • NCE01P18D

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