型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NAND512R3A2DZA6E

封装/外壳:63-TFBGA 包装:管件 描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

NAND512R3A2DZA6E

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

MICRON

美光

NAND512R3A2DZA6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND512R3A2DZA6E

  • 功能描述

    IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    EEPROMs - 串行

  • 存储器类型

    EEPROM

  • 存储容量

    4K(512 x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C,2 线串口

  • 电源电压

    2.7 V ~ 5.5 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    8-MFP

  • 包装

    带卷(TR)

更新时间:2026-1-31 18:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/MICRON
11+
BGA
6000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Micron Technology Inc.
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