型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NAND04GR3B2DN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

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NUMONYX

NAND04GR3B2DN6E

封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 包装:托盘 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

NAND04GR3B2DN6E

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Micron

美光

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

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NUMONYX

NAND04GR3B2DN6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND04GR3B2DN6E

  • 功能描述

    IC FLASH 4GBIT 48TSOP

  • RoHS

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    576

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    512M(64M x 8)

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    497-5040

更新时间:2026-1-3 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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