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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NAND01GW3B2BZA6E | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16 | NUMONYX |   | |
NAND01GW3B2BZA6E | 封装/外壳：63-TFBGA 包装：管件 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
NAND01GW3B2BZA6E | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA | Micron 美光 | | |
NAND01GW3B2BZA6E | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
NAND01GW3B2BZA6E | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory 文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages | NUMONYX | | |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory 文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
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NAND01GW3B2BZA6E产品属性
- 类型
描述
- 型号
NAND01GW3B2BZA6E
- 功能描述
闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 数据总线宽度
1 bit
- 存储类型
Flash
- 存储容量
2 MB
- 结构
256 K x 8
- 接口类型
SPI
- 电源电压-最大
3.6 V
- 电源电压-最小
2.3 V
- 最大工作电流
15 mA
- 工作温度
- 40 C to + 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
MICRON |
24+ |
BGA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
16+ |
QFN |
2500 |
进口原装现货/价格优势! |
||||
ST |
24+ |
BGA |
23000 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
Numonyx/STMi |
23+ |
63-VFBGA |
65480 |
||||
ST |
0946+ |
BGA |
44 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST |
25+ |
BGA |
503 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
MICRON |
1902+ |
BGA |
2734 |
代理品牌 |
|||
STMICROELEC |
24+ |
原封装 |
1580 |
原装现货假一罚十 |
|||
Micron Technology Inc. |
21+ |
6-WFBGA,CSPBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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