型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NAND01GW3B2AZA6E

封装/外壳:63-TFBGA 包装:托盘 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成电路(IC) 存储器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND01GW3B2AZA6E

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

STMICROELECTRONICS

意法半导体

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:631.49 Kbytes Page:64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NAND01GW3B2AZA6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GW3B2AZA6E

  • 功能描述

    闪存 NAND MEDIA FLASH

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度

    1 bit

  • 存储类型

    Flash

  • 存储容量

    2 MB

  • 结构

    256 K x 8

  • 接口类型

    SPI

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.3 V

  • 最大工作电流

    15 mA

  • 工作温度

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-21 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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郑重承诺只做原装进口现货
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原厂渠道,现货配单
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原装进口公司现货假一赔百
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