型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NAND01GR3B2CN6E

1-Gbit,2112-byte/1056-wordpage,1.8V/3V,singlelevelcellNANDflashmemory

Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX
NAND01GR3B2CN6E

1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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NAND01GR3B2CN6E

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NAND01GR3B2CN6E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NAND01GR3B2CN6E

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    NAND - Trays

更新时间:2024-5-7 23:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NUMONYX/NUMONYX/恒忆
21+
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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