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NAND01G-B2C

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件:711.53 Kbytes Page:62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件:1.34162 Mbytes Page:60 Pages

NUMONYX

更新时间:2025-11-23 19:00:00
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