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N6504NZ-S17-AY

N-channelMOSFET650V,5.5A,2.1

Description TheN6504NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=2.1MAX.(VGS=10V,ID=2.75A) Lowinputcapacitance Ciss=950pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±5.5

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-6-21 9:00:00
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