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N6008NZ-S17-AY

N-channelMOSFET600V,8A,0.75Ω

Description TheN6008NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=0.75ΩMAX.(VGS=10V,ID=4.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=2145pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±8.

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-5-1 16:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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