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N-channelMOSFET600V,4A,2.0Ω

Description TheN6004NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=2.0ΩMAX.(VGS=10V,ID=2.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=900pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±4.0

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-5-1 15:24:01
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