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丝印代码:3NF06L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package.

TECHPUBLIC

台舟电子

N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A, SOT-223 STripFET??II Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET??II POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Digital constant-current controller

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-3-13 18:55:01
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