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N0602N

N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

Description The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance RDS (on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) • Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Hig

RENESAS

瑞萨

N0602N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

文件:217.59 Kbytes Page:8 Pages

RENESAS

瑞萨

Inductive Sensors

BES Q40KFU-PSC20A-S04K Basic features Additional features Factor 1 Approval/Conformity CE UKCA cULus WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 Trademark Factor 1

Balluff

巴鲁夫

SMD SHIELDED POWER INDUCTOR

文件:1.19781 Mbytes Page:3 Pages

ABRACON

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施耐德

rack X80 - 6 slots - Redundant PS - Ethernet backplane

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SCHNEIDER

施耐德

COMPUTER CABLE

文件:81.45 Kbytes Page:1 Pages

GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用电气公司美国通用电气公司

N0602N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    N0602N

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    SINGLE MOSFET, NCH, 60V, TO-220 - Rail/Tube

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

更新时间:2025-8-6 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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    进口代理

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