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MRF19030LR3中文资料

厂家型号

MRF19030LR3

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8

功能描述

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

数据手册

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生产厂商

MOTOROLA

MRF19030LR3数据手册规格书PDF详情

Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts

IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13

885 kHz — -47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz — -55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz — -55 dBc @ 1 MHz BW

Output Power — 4.5 Watts Avg.

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 17

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

MRF19030LR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF19030LR3

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-10-17 14:34:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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