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MRF19030LR3数据手册规格书PDF详情
Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
• CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts
IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
885 kHz — -47 dBc @ 30 kHz BW
1.25 MHz — -55 dBc @ 12.5 kHz BW
2.25 MHz — -55 dBc @ 1 MHz BW
Output Power — 4.5 Watts Avg.
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 17
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW Output Power
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
MRF19030LR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF19030LR3
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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30000 |
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50000 |
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25+ |
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- PAL18C6AJ
- PAL18H8AJ
- PAL18P6AJ
- PAL20X6AJ
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