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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MWS11GB11-S1 | InGaP HBT Gain Block DESCRIPTION This general purpose amplifier is a low cost, broadband RFIC manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process (MOCVD). This RFIC amplifier was designed as an easily cascadable 50 ohm gain block. The device is self-contained with 50 ohm input and output i | Microsemi 美高森美 |   |
MWS11GB11-S1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MWS11GB11-S1
- 制造商
MICROSEMI
- 制造商全称
Microsemi Corporation
- 功能描述
InGaP HBT Gain Block
更新时间：2025-8-9 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-8-13MWT-22Q4原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-4MwT-1789原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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