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MWS11GB11-G1

InGaP HBT Gain Block

DESCRIPTION This general purpose amplifier is a low cost, broadband RFIC manufactured with an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process (MOCVD). This RFIC amplifier was designed as an easily cascadable 50 ohm gain block. The device is self-contained with 50 ohm input and output i

Microsemi

美高森美

MWS11GB11-G1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MWS11GB11-G1

  • 制造商

    MICROSEMI

  • 制造商全称

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    InGaP HBT Gain Block

更新时间:2025-11-22 10:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
H
24+
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SOT23
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