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MWS11GB11-G1

InGaPHBTGainBlock

DESCRIPTION Thisgeneralpurposeamplifierisalowcost,broadbandRFICmanufacturedwithanInGaP/GaAsHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process(MOCVD).ThisRFICamplifierwasdesignedasaneasilycascadable50ohmgainblock.Thedeviceisself-containedwith50ohminputandoutputi

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

MWS11GB11-G1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MWS11GB11-G1

  • 制造商

    MICROSEMI

  • 制造商全称

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    InGaP HBT Gain Block

更新时间:2024-6-4 17:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • MX08

    MX08,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司手机:17727572380。电话:0755-83226739QQ:626839837。微信号:15096137729

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