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位置：首页 > IC中文资料第2578页 > MTY100N10E

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTY100N10E

TMOSPOWERFET100AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.011OHM

TMOSE-FET™PowerFieldEffecttransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSpowerFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforh

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola
MTY100N10E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTY100N10E

PowerMOSFET

文件：212.64 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
CEB100N10L

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,92A,RDS(ON)=8.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=10.5mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
100N10B

N-ChannelPowerMOSFET

文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
BR100N10

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

文件：1.06059 Mbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
BRB100N10

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

文件：893.02 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN
BSC100N10NSFG

OptiMOS??Power-Transistor

文件：420.84 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

MTY100N10E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTY100N10E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

MTY100N10E供应商更多...

更新时间：2024-4-26 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
MTY100N10E
ON/安森美
23+
NA/
17138
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MTY100N10E
ON
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TO-264
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深圳市科芯源微电子有限公司
MTY100N10E
ONSEMI/安森美
24+
TO264
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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深圳市明嘉莱科技有限公司
MTY100N10E
ON/安森美
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NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市正纳电子有限公司
MTY100N10E
ON(安森美)
23+
NA
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司
MTY100N10E
MOTOROLA
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管3PL
18000
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千层芯半导体(深圳)有限公司
MTY100N10E
ON
17+
TO-264
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MTY100N10E
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MTY100N10E
ON进口原装
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深圳市华斯顿科技有限公司
MTY100N10E
ON进口原装
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    类型描述选取全部项目 类别电缆，电线-管理 电缆扎带-支座和附件 制造商PanduitCorp 系列MTP 零件状态有源 类型多开 安装类型螺钉-#6 大小/尺寸4.25长x0.50宽x0.12高（107.9mmx12.7mmx3.0mm） 配套使用产品/相关产品M，I，S束带 材料尼龙 颜色天然

    2019-10-30

  • MUR1620CTRT4G全新原装现货

    可立即发货

    2019-9-24

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