型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MTP36N06V

TMOS POWER FET 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.04 OHM

TMOS POWER FET 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.04 OHM N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50

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摩托罗拉

MTP36N06V

N?묬hannel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

MTP36N06V

N−Channel Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement

InPower Product Lines

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

TMOS POWER FET 36 AMPERES 60 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components

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Fast Switching

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无锡固电

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

MTP36N06V产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP36N06V

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 32A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
2500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON Semiconductor
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
ON
23+
TO-220
15000
专做原装正品,假一罚百!
ON
20+
TO-220
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
On Semi
25+
50
公司优势库存 热卖中!!
ON
23+
TO-220
44
正规渠道,只有原装!
24+
2380
ON
17+
TO-220
6200
ON
13+
TO-220
44
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
22+
TO220
20000
公司只做原装 品质保障

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  • MTP3S-E6-C正品现货在售

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