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MTP36N06	TMOS POWER FET 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.04 OHM TMOS POWER FET 32 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.04 OHM N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density of our 50	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTP36N06E	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 40mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
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MTP36N06	TMOS V Power Field Effect Transistor	ETC 知名厂家	ETC
MTP36N06E	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.31361 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MTP36N06V	N?묬hannel Power MOSFET 文件：207.98 Kbytes Page：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTP36N06V	N−Channel Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-12-27 13:46:00

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原厂原包装绝无虚假假一罚十
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2019-4-9