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TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.080 OHM P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOSV is a new technology designed to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This newtechnology more than doubles the present cell density of our 50and 60 volt

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MTP30P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP30P

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    TMOS POWER FET 30 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.080 OHM

更新时间:2025-12-27 13:01:00
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