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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = -60V,ID = -1.9A RDS(ON)

RECTRON

丽正国际

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

2.0 AMP. Schottky Barrier Rectifiers

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迪一电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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杜因特

Switching Regulator Applications

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