型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount

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ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch

VBSEMI

微碧半导体

N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

文件:125.12 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD6N15T4GV产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTD6N15T4GV

  • 功能描述

    MOSFET Single N-Ch 150V 6A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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