型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-Channel200V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N?묬hannelEnhancement?묺odeSiliconGate

文件:125.12 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

MTD6N15T4GV产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTD6N15T4GV

  • 功能描述

    MOSFET Single N-Ch 150V 6A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-21 18:45:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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