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MTD2N50ELI

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.18Ω(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter,

ISC

无锡固电

2 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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2A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

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N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET

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N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET

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更新时间:2025-12-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HAMOS/汉姆
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VBSEMI/微碧半导体
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