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MTP2N50E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand hi

Motorola

摩托罗拉

MTP2N50E

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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MTP2N50E

TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.6 OHM

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N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET

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友顺

MTP2N50E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTP2N50E

  • 制造商

    Motorola Inc

更新时间:2025-9-22 18:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ON
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TO-220
6893
MOTOROLA/摩托罗拉
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