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262,144-Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Description: The NTE21256 is a 262,144 word by 1–bit dynamic Random Access Memory. This 5V–only component is fabricated with N–channel silicon gate technology. Nine multiplexed address inputs permit the NTE21256 to be packaged in an industry standard 16–Lead DIP package. Features of this dev

NTE

更新时间:2025-12-27 16:33:01
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