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MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. De

Motorola

摩托罗拉

MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

ETC

知名厂家

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

ONSEMI

安森美半导体

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

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ONSEMI

安森美半导体

MTB6N60E1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB6N60E1

  • 制造商

    ON Semiconductor

更新时间:2025-10-10 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
9920+
TO-262
6002
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
AEROSEMI
24+25+
LFCSP_VQ68
15000
原厂原装终端客户免费申请样品
NS
23+
NA
586
专做原装正品,假一罚百!
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原装正品,支持实单
ON
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
mot
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
ON/安森美
23+
TO-263
9800
全新原装现货,假一赔十
onsemi(安森美)
24+
-
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ON/安森美
24+
NA/
5145
原装现货,当天可交货,原型号开票
ON
24+
TO-263
35000

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