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MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. De

MOTOROLA

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MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

ETC

知名厂家

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

ONSEMI

安森美半导体

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-7-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理

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