位置:首页 > IC中文资料 > MTB6N60E1

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

TMOS E-FET™ High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. De

MOTOROLA

摩托罗拉

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

文件:214.29 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTB6N60E1

TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS

ETC

知名厂家

MTB6N60E1

High Energy PowerFET

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-5-15 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
25+
TO-262
3803
只做原装进口!正品支持实单!
MOT
22+
TO-262
20000
公司只做原装 品质保障
ON/安森美
2447
TO-263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
AEROSEMI
24+25+
LFCSP_VQ68
15000
原厂原装终端客户免费申请样品
MOT
9920+
TO-262
6002
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原装正品,支持实单
MOT
25+
SOT263
4500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ON
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
24+
5000
公司存货
ON/安森美
SOT263
22+
6000
十年配单,只做原装

MTB6N60E1数据表相关新闻