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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) • Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Logic level drive type • Des

RENESAS

瑞萨

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更新时间:2025-12-31 9:48:01
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