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TMOS POWER FET 29 AMPERES 150 VOLTS

TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low

Motorola

摩托罗拉

N?묬hannel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

TMOS POWER FET 29 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.07 OHM

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Motorola

摩托罗拉

Power MOSFET 29 Amps, 150 Volts N-Channel TO-220

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-28 18:37:01
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