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4MEGx16DRAM

GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin

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4MEGx16DRAMExtendedDataOut(EDO)DRAM

文件:3.76256 Mbytes Page:25 Pages

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更新时间:2024-6-22 22:58:01
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