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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
MT47H32M16NF-25E	DDR2 SDRAM Features • VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V • JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) • Differential data strobe (DQS, DQS#) option • 4n-bit prefetch architecture • Duplicate output strobe (RDQS) option for x8 • DLL to align DQ and DQS transitions with CK • 4 internal banks for conc	Micron 镁光	Micron

MT47H32M16NF-25EIT:H存储IC供应商更多...

更新时间：2025-8-7 23:00:03

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MT47H64M16HR-25:H 深圳旭亨半导体有限公司
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2021-4-15
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2020-11-6
MT47H32M16NF-25E:H
SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器 , BGA-54 SDRAM 动态随机存取存储器 , SDRAM 32 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 512 Mbit SDRAM 32 bit 133 MHz - 40 C 动态随机存取存储器 , 512 Mbit TSOP-54 SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器
2020-7-8
MT47H256M8EB-25E IT:C
MT47H256M8EB-25E IT:C
2020-4-22